Cas9-RNP/mRNA电转染

By Yiyuan & Kaiyi

mRNA电转实验步骤(T细胞)

  • 1、复苏T细胞4h以上,将T细胞培养体系转移至50mL离心管【过滤以除去死细胞】,用opti-MEM补足50mL【此步用来洗清血清,避免影响电转效率】;

  • 2、离心之前计数:台盼蓝:T细胞=1:1(10ul);

  • 3、500G 离心5min,弃去上清,弹匀;离心期间在6或12孔板(每孔最多5ml)加X-VIVO培养基,放入培养箱37℃预热。同时取出-80℃冻存的mRNA(1000ng/μL,每支10μL,可以电10*10^6细胞),待其融化至室温;

  • 4、加1mL opti-MEM,转移至1.5ml EP管,4000rpm 2min离心,弃去上清,弹匀;

  • 5、按上述步骤重复清洗一次;随后用800ul 1×opti-MEM重悬细胞。(认为耗损率为80%)

  • 6、取一包RNAase free黄枪头,吹匀细胞悬液,再加入mRNA溶液混匀,在电转杯中加入100μL上述细胞液并吹匀【注意避免气泡】

  • 7、盖上电转杯杯盖,500V 700μs电转,随后立即将其转移至12孔板中【倾斜电转杯以便吸液】,继续培养【注意用封口带封口,轻晃一下板子,37℃】,8-12h培养后测表达。

细胞量:min 10million(10×106),mRNA量:10ug(使用分装好的mRNA,1ug/ul per tube 20ul)。

电转条件:电转杯为0.2cm

(1)刺激过的T细胞(细胞变大,通透性高):500V 700μs

(2)未刺激T细胞(antiCD3&CD28):500V 800μs

Cas9-RNP电转原理

  • RNP指的是“核糖核酸-蛋白质复合物”,它由RNA和蛋白质组成。在RNP体外切割技术中,我们主要关注的是RNA引导的核酸内切酶(RGN)和CRISPR/Cas9系统中的Cas9蛋白。这两种物质协同作用,能够精确地对目标DNA进行切割。

  • 原理:首先,设计一段与目标DNA序列互补的RNA(称为gRNA),将其与Cas9蛋白结合形成RNP。当RNP与目标DNA结合后,Cas9蛋白会在gRNA的引导下,对目标DNA进行精确切割。这样一来,我们就可以实现对特定基因的编辑、插入或删除等操作。

  • 电转使用仪器为Neon NxT 转染仪,操作演示视频如下:

演示视频

Cas9-RNP复合物电转

1、提前配置试剂:

  • Cas9蛋白分装与储存:苏州泓迅生物提供,浓度为10mg/mL,按10μL分装后,保存于-80℃,避免反复冻融。

  • EasyEdit sgRNA 溶解与储存:将粉末状 EasyEdit sgRNA (苏州泓迅生物,RNA的3 'and 5'经过2'-0Me 与Phosphorothioate修饰, HPLC Purification)用无核酸酶 TE buffer 溶解至 100 pmol/μL ,也即100μM (2nmol + 20μL TE buffer溶解),或其他需要的浓度,按需分装,保存至-20℃,避免反复冻融,如需长期存储,保存至-80℃。

RNA化学合成:需要将设计的sgRNA序列的T改成U,在sgRNA的5’和3’端各加3个硫代和甲氧基修饰,可以提高sgRNA稳定性,并降低脱靶效应,并添加scaffold序列

  • 配置电转后的培养基,37度预热

    • 对于knock-out,配置含有10%FBS但不含双抗的培养基;

    • 对于knock-in,可以向上述配置好的培养基中加入NHEJ抑制剂或HDR增强剂(例如1:10000加入10mM的 SCR7 DMSO贮存液,使SCR7终浓度为1μM);

2、细胞铺板与预处理:

  • 将细胞提前铺板,直至长满T25;

  • 对于knock-in,实验前12-16h,可向培养物中添加细胞周期阻滞剂诺考达唑(Nocodazole),最终浓度为0.3 μmol/L(1:30稀释10μM的储存液,如8mL培养基添加240μL)。置于37℃,5% CO2条件下培养12-16 h。

3、消化细胞:

  • 正确组装好Neon NxT 电转仪电路,直至右侧出现黑色圆圈;

  • 取状态良好的对数期生长的靶细胞(约一个T25),弃培养基,用不含钙镁的DPBS冲洗一遍,加入1mL胰酶消化,400g离心5min(悬浮细胞可直接收集);

  • 弃去细胞沉淀上清,用1mL 不含钙镁的DPBS重悬,计数;

  • 对于knock-out:从细胞悬液中吸取1.5×10^6左右个细胞于无菌的1.5 mL EP管中,400g离心5min,弃上清,用 65 μL GE buffer 重悬细胞;

  • 对于knock-in:由于HDR模板的存在,可以适当增加细胞浓度,取2*10^6左右个细胞于无菌的1.5 mL EP管中,400g离心5min,弃上清,用 65 μL GE buffer 重悬细胞;

4、制备CRISPR-Cas9 RNP复合物

  • 细胞离心期间,准备若干EP管并标记,每条sgRNA(包括对照的sgSCR)需要1个EP管;

  • 对于knock-out,在每个1.5 mL EP 管中分别加入:

    • 65 μL Neon NxT Resuspension GE buffer(Thermo)

    • 100 pmol Cas9 蛋白(1.63μL*10mg/mL)

    • 200 pmol EasyEdit sgRNA(2μL* 100 pmol/μL)

    • 室温下孵育 10 min(37℃ 5分钟);

  • 对于knock-in:

    • 先配置上述65μL体系,室温孵育10min(37℃ 5分钟);

    • 可选:ssDNA与RNP混合前5分钟,65℃水浴5分钟破坏二级结构,立即冰浴2分钟防止复性;

    • 再从上述体系中分别吸取6.5μL另外2个新的EP管,其中一管在Cas9-RNP基础上再加入≤1μg(如0.3ug-1μg)HDR模板(ssDNA或dsDNA,浓度最好至1μg/μL);

    • 室温继续孵育10min(或混合HDR模板后置于冰上);

Cas9-RNP的配比:

  • Cas9与sgRNA比例约为1比2,如100pmol Cas9+200pmol sgRNA+100pmol ssDNA;

  • 推荐的Cas9蛋白浓度:100pmol Cas9蛋白溶于130μL(65μLRNP+65μL细胞)体系,浓度约为120ug/1mL(0.769 nmol/L),即为推荐浓度;

  • 推荐的sgRNA浓度:为Cas9浓度两倍,约1.54 nmol/L;

  • 推荐的细胞浓度:推荐每10μL电转体系约包含1*10^5个细胞(细胞浓度推荐在2*10^6-1*10^7个/mL之间),130μL体系需要1.3*10^6个细胞;

  • 推荐的HDR DNA模板浓度:33-100 nmol/L,即每13μL电转体系需要0.3-1μg的DNA;

5、混合细胞与Cas9-RNP复合物

  • 对于knock-out:将65μL细胞悬液与65μL Cas9 RNP复合物悬液混匀,室温下孵育10min

  • 对于knock-in:向Cas9-RNP-DNA混合物中,加入6.5μL细胞悬液,室温孵育10min;

  • 等待期间,向12/24孔板中加入不含双抗的培养基,对于knock-in,可以添加含有终浓度1μM的SCR7的不含双抗的培养基;

6、电转染

  • 2 mL E10 buffer(适用于10μL电转体系;E100 buffer则适用于100μL体系)加入到透明的buffer tube,并插入到底座上;

  • 用电转枪吸上10 μL电转枪头,按下白色plugger,确保金属吸头可以回弹;

  • 电转枪小心缓慢吹匀并吸取细胞与Cas9 RNP混合物(避免气泡!!!),将带有细胞悬液的电转枪插入电击杯中,如安装对位将亮蓝灯;

  • 设置包括电压(V)、时间(s)、脉冲次数在内的电转参数,选择正确的Buffer种类(GE buffer),对上述混合物进行电转(可以同时在同样参数下电转EGFP对照组),电转成功后亮绿灯;

    • 对于KO,HCT116细胞推荐1600/10/3,1700/20/1,1400/20/2

    • 对于KI,HCT116细胞推荐1400/20/2,1600/10/3,930/30/2

    • MC38细胞在1200V-1700V电转效率均可

    • 如电转效果不佳,可以尝试增加电压如2300/3/4,2500/2/5,但会增加细胞死亡率

  • 从底座中拔出电转枪,将电转后的各组细胞分别转移至12或24孔板中(培养基加血清但不加抗生素),先按蓝色ejector再按白色plugger,弃去电转枪吸头;

  • 轻轻吹匀细胞,将细胞放置培养箱中培养;

  • 对于KI的细胞,30分钟后向培养基中添加1-2.5μM的Nedisertib(贮存液为10mM in DMSO,用培养基1:10000-1:4000稀释)

  • 电转后前1-2天可以添加10 μM ROCK inhibitor Y27632抗凋亡;

    • 注:一般电转 1 h 后,细胞一般可以恢复活性,膜修复会完成。但因为质粒有毒性,膜修复完成后细胞也可能会因为毒性而死去;

  • 24h后观察细胞状态,换液,如有条件可根据EGFP对照情况判断电转效率;

  • WB/qPCR检测敲除效率,进而分选单克隆。

HCT116 knock-in 电转参考文献:

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